Samsung đứng trước áp lực bị các đối thủ vượt mặt về mảng chip AI. Ảnh: Reuters.
Theo Reuters, Samsung đang chuẩn bị áp dụng công nghệ sản xuất chip đã được đối thủ SK Hynix sử dụng từ lâu. Quyết định này được đưa ra khi nhu cầu về chip bộ nhớ băng thông cao (HBM) tăng vọt, được thúc đẩy bởi sự phổ biến của AI.
Áp lực của Samsung
Khác với 2 công ty cùng ngành là SK Hynix và Micron Technology, Samsung hiện vẫn chưa hợp tác với Nvidia để sản xuất chip HBM. Một trong những nguyên nhân khiến Samsung tụt lại phía sau là do quyết định gắn bó với công nghệ sản xuất chip “Màng không dẫn điện” (NCF), khiến công ty này gặp một số vấn đề trong sản xuất.
Nhu cầu về chip bộ nhớ băng thông cao (HBM) tăng vọt do sự bùng nổ của AI. Ảnh: Kelsey McClellan.
Trong khi đó, công ty SK Hynix đã nhanh chóng chuyển sang công nghệ “Chiết rót đúc lại hàng loạt” (MR-MUF), nhằm khắc phục điểm yếu của NCF.
Theo Reuters, một số chuyên gia rò rỉ cho biết Samsung gần đây đã đặt mua thiết bị sản xuất chip được thiết kế riêng cho kỹ thuật MUF.
Tuy nhiên, Samsung phủ nhận tin đồn này. Công ty cho biết công nghệ NCF của họ là “giải pháp tối ưu” cho các sản phẩm HBM và sẽ được sử dụng trong các chip HBM3E mới của hãng.
“Tin đồn Samsung sẽ áp dụng MR-MUF vào quá trình sản xuất HBM là không đúng sự thật… Chúng tôi đang tiến hành kinh doanh sản phẩm HBM3E theo kế hoạch”, Samsung phản hồi với Reuters.
HBM3 và HBM3E là phiên bản mới nhất của chip bộ nhớ băng thông cao đi kèm với chip vi xử lý lõi để giúp xử lý lượng lớn dữ liệu trong AI tổng hợp.
Theo một số nhà phân tích, năng suất sản xuất chip HBM3 của Samsung ở mức khoảng 10-20%, thấp hơn hẳn so với SK Hynix, có năng suất khoảng 60-70% cho hoạt động sản xuất HBM3 của mình.
Những nhận định này tiếp tục bị Samsung bác bỏ. Công ty cho biết họ đã đảm bảo “tỷ lệ sản lượng ổn định”, nhưng không giải thích chi tiết.
Theo nguồn tin, Samsung đã đàm phán với các nhà sản xuất vật liệu, bao gồm cả Nagase của Nhật Bản, để cung cấp vật liệu MUF. Tuy nhiên, ít nhất là đến năm 2025, việc sản xuất hàng loạt chip cao cấp theo kỹ thuật MUF mới có thể tiến hành vì Samsung cần thời gian thử nghiệm. Gã khổng lồ công nghệ Hàn Quốc có kế hoạch sử dụng cả kỹ thuật NCF và MUF cho chip HBM mới nhất của mình.
Nvidia và Nagase từ chối bình luận.
Theo công ty nghiên cứu TrendForce, mọi động thái của Samsung liên quan đến việc sử dụng MUF cho thấy áp lực ngày càng tăng mà hãng phải đối mặt trong cuộc đua chip AI. Dự kiến giá trị thị trường chip HBM sẽ tăng gấp đôi trong năm nay lên gần 9 tỷ USD.
Tổn thất vì công nghệ NCF
Công nghệ NCF đã được các nhà sản xuất chip sử dụng rộng rãi để xếp chồng nhiều lớp chip trong chipset bộ nhớ băng thông cao nhỏ gọn, vì việc sử dụng màng mỏng nén nhiệt giúp giảm thiểu không gian giữa các chip xếp chồng lên nhau.
Tuy nhiên, công nghệ này thường có những vấn đề liên quan đến vật liệu kết dính, do việc chồng nhiều lớp chíp khiến sản xuất trở nên phức tạp. Samsung cho biết chip HBM3E mới nhất của hãng có tới 12 lớp và công ty đang tìm kiếm giải pháp thay thế để giải quyết những điểm yếu đó.
Nhờ nhanh chóng chuyển đổi kỹ thuật sản xuất, công ty SK Hynix đã "vượt mặt" Samsung trong mảng chip AI. Ảnh: Reuters.
Trong khi đó, đối thủ của Samsung là SK Hynix đã chuyển đổi thành công sang kỹ thuật MUF, trở thành công ty đầu tiên cung cấp chip HBM3 cho Nvidia.
Theo nhà phân tích Jeff Kim tại KB Securities, thị phần của SK Hynix trong HBM3 và các sản phẩm HBM cao cấp hơn dành cho Nvidia ước đạt trên 80% trong năm nay.
Một đối thủ khác của Samsung là Micron cũng đã tham gia cuộc đua chip bộ nhớ băng thông cao từ tháng 2/2024. Công ty thông báo rằng chip HBM3E mới nhất của họ sẽ được Nvidia sử dụng để cung cấp năng lượng cho các chip H200 Tensor – sản phẩm dự kiến xuất xưởng vào quý hai.
Dòng HBM3 của Samsung vẫn chưa vượt qua được tiêu chuẩn của Nvidia để đạt được các thỏa thuận cung cấp.
Thất bại của Samsung trong cuộc đua chip AI cũng khiến các nhà đầu tư chú ý, khiến cổ phiếu của công ty này giảm 6% trong năm nay, xếp sau SK Hynix và Micron - hai công ty có cổ phiếu lần lượt tăng 16% và 14%.